MSX美股每日观察：存储板块连续调整，长鑫存储技术进展引发估值重估

MSX美股每日观察：存储板块连续调整，长鑫存储技术进展引发估值重估

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今日观察

存储板块正在经历新一轮集中调整。美东时间10月12日，美光科技下跌约3.9%，闪迪下跌约6%；西部数据、希捷科技也同步走弱。10月13日亚洲市场抛售进一步扩大，韩国综合股价指数盘中下跌7.4%，三星电子和SK海力士分别下跌7.7%和8.8%。本轮调整的直接触发因素，是市场开始重新评估中国存储厂商长鑫存储对全球DRAM市场竞争格局的影响。

长鑫存储近期公布了4F² DRAM架构进展，并计划在2026年底前推出采用该架构的服务器DDR5 RDIMM产品。相较目前行业常见的6F²设计，4F²架构可以缩小单个存储单元占用面积，在相同晶圆面积上集成更多存储容量，从而改善生产效率和单位成本。

市场担心，如果长鑫存储能够按计划实现量产，并进入服务器内存市场，未来全球DRAM供给可能增加，美光、三星和SK海力士目前较强的定价能力也可能受到影响。

不过，技术路线公布、样品验证和大规模商业量产之间仍然存在明显距离。服务器内存不仅要求容量和速度，还需要通过长期稳定性、良率、功耗以及服务器平台兼容性验证。长鑫存储目前披露的是产品规划，并不代表其已经形成大规模出货，更不能直接推导出DRAM市场即将出现供给过剩。

从最新产业数据看，存储行业的供需关系仍然偏紧。TrendForce预计，2026年第四季度传统DRAM合约价格将环比上涨10%至15%，NAND Flash合约价格将上涨15%至20%。其中，企业级SSD受云服务商和AI数据中心需求推动，预计是价格涨幅进一步加速的主要品类。也就是说，当前存储芯片价格仍在上涨，只是市场已经开始提前交易未来新增供给和价格增速变化。

因此，这轮调整更像是高预期下的估值再平衡，而不是已经得到数据确认的存储周期反转。

数据一分钟

• 10月12日，美光科技下跌约3.9%，闪迪下跌约6%，成为存储板块主要领跌标的；

• 西部数据当日下跌约2.6%，希捷科技也出现明显调整；

• 10月13日亚洲盘中，三星电子下跌7.7%，SK海力士下跌8.8%，韩国综合股价指数一度下跌7.4%；

• 长鑫存储计划在2026年底前推出采用4F²架构的服务器DDR5 RDIMM产品；

• 4F²架构可以提高存储单元密度，但产品仍需经历量产良率、服务器平台认证和客户导入等环节；

• TrendForce预计2026年第四季度传统DRAM合约价格环比上涨10%至15%；

• NAND Flash合约价格预计环比上涨15%至20%，企业级SSD价格涨幅可能进一步加快；

• 美光最新一个季度取得创纪录业绩，并预计下一季度营收约为500亿美元、上下浮动10亿美元，毛利率约86%；

• 美光的HBM4已经面向首个主要客户进行大规模出货，HBM4E计划于2027年投入量产；

• 当前存储市场呈现明显分化：AI服务器、HBM和企业级SSD需求强劲，PC、智能手机等消费市场则开始受到高价格和购买力限制。

MSX View

理解这轮存储股调整，首先需要区分“行业基本面转弱”和“市场开始降低对未来的预期”。目前能够确认的是，DRAM和NAND合约价格仍在上涨，AI服务器对HBM、服务器DRAM和企业级SSD的需求依然强劲。美光下一季度约86%的毛利率指引，也说明现阶段存储厂商仍然拥有非常强的定价能力。

但股票市场交易的并不是当前利润有多高，而是利润和价格接下来还能否继续上升。当存储价格、毛利率和市场预期都处于较高水平时，新的竞争者、潜在产能扩张或者价格涨幅放缓，都会触发估值调整。即使企业盈利继续增长，只要增长速度低于市场此前的乐观预期，股价仍然可能下跌。

长鑫存储公布4F²架构的意义，正是在这里。短期看，长鑫存储的技术进展不会立即改变全球供需格局。服务器DDR5产品需要经过严格认证，而先进DRAM能否形成足够高的量产良率，也仍需后续数据验证。国际设备限制、先进制程能力和全球客户导入同样是其扩大市场份额需要面对的问题。

但从中长期看，长鑫存储如果成功进入服务器DRAM市场，可能首先改变中国市场的采购结构，降低中国服务器厂商对海外内存供应商的依赖。随着产能逐渐扩大，新增供给也可能对通用型DDR5价格形成压力。不过，这种影响不能直接等同于对HBM市场的冲击。

HBM需要先进DRAM制程、硅通孔、堆叠封装、散热以及与GPU平台的联合验证。美光、SK海力士和三星已经开始向HBM4推进，长鑫存储此次公布的重点则是服务器DDR5 RDIMM。两类产品都属于DRAM，但技术门槛、客户结构和利润率存在明显差异。

因此，美光受到长鑫存储消息影响相对合理，因为其同时经营通用DRAM、服务器内存和HBM业务。但闪迪主要经营NAND Flash，西部数据和希捷的核心业务则是机械硬盘。长鑫存储的DRAM产品不会直接增加NAND或硬盘供给。这些公司同步下跌，说明市场正在整体降低对“AI存储”交易的风险敞口，而不是每家公司的基本面都受到了完全相同的冲击。

闪迪接下来更需要观察NAND价格、企业级SSD出货量及云服务商采购；西部数据和希捷则需要关注近线硬盘供应、单盘容量、数据中心订单和新增产能。把所有存储公司都按照长鑫存储的DRAM进展进行定价，可能会忽略各自业务结构的差异。

另一个值得关注的风险，是消费市场对存储价格的承受能力。AI数据中心可以接受更高的存储成本，因为内存和存储直接决定GPU集群利用率。但PC和智能手机厂商对价格更加敏感。随着DRAM和NAND价格持续上涨，消费电子厂商可能减少采购、降低单机容量，或者把成本转嫁给消费者。

这意味着存储市场可能出现两种趋势并存：AI服务器相关产品仍然供不应求，消费类产品需求却受到高价格抑制。未来存储周期不会简单表现为所有产品同时上涨或同时下跌，而会更多体现为产品结构和客户结构的分化。

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